bt316可控硅参数
BTA316可控硅参数： VDRM/VRRM 断态重复峰值电压 600/800 V IT(RMS) 通态均方根电流 16 A ITSM 通态不重复浪涌电流 140 I2t I2t 值 98 A2s dIT/dt 通态电流临界上升率 50 A/μs IGM 门极峰值电流 2 A PGM 门极峰值功率 5 W PG(AV) 门极平均功率 0.5 TSTG 存储温度 -40~+150 ℃ ...
BTA316可控硅参数： VDRM/VRRM 断态重复峰值电压 600/800 V IT(RMS) 通态均方根电流 16 A ITSM 通态不重复浪涌电流 140 I2t I2t 值 98 A2s dIT/dt 通态电流临界上升率 50 A/μs IGM 门极峰值电流 2 A PGM 门极峰值功率 5 W PG(AV) 门极平均功率 0.5 TSTG 存储温度 -40~+150 ℃ ...